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个人信息：Personal Information
教授
性别：男
毕业院校：2966
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
在职信息：在岗
所在单位：集成电路学部
学科：微电子学与固体电子学
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Theoretical Investigation of Performance Enhancement in GeSn/SiGeSn Type-II Staggered Heterojunction Tunneling FET
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所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
第一作者：Wang, Hongjuan^Han, Genquan^Liu, Yan^Hu, Shengdong^Zhang, Chunfu^Zhang, Jincheng^Hao, Yue
论文类型：Article
论文编号：SCI WOS:000367259600039
卷号：63
期号：1
页面范围：303-310
ISSN号：0018-9383
是否译文：否
发表时间：2016-01-01
收录刊物：SCI