韩根全

个人信息:Personal Information

教授

性别:男

毕业院校:2966

学历:博士研究生毕业

学位:工学博士学位

在职信息:在岗

所在单位:集成电路学部

学科:微电子学与固体电子学

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论文成果

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InN/InGaN complementary heterojunction-enhanced tunneling field-effect transistor with enhanced subthreshold swing and tunneling current

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所属单位:微电子学院

发表刊物:SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES

第一作者:Peng, Yue^Han, Genquan^Wang, Hongjuan^Zhang, Chunfu^Liu, Yan^Wang, Yibo^Zhao, Shenglei^Zhang, Jincheng^Hao, Yue

论文类型:Article

论文编号:SCI WOS:000376213000018

卷号:93

页面范围:144-152

ISSN号:0749-6036

是否译文:

发表时间:2016-01-01

收录刊物:SCI