韩根全
个人信息:Personal Information
教授
性别:男
毕业院校:2966
学历:博士研究生毕业
学位:工学博士学位
在职信息:在岗
所在单位:集成电路学部
学科:微电子学与固体电子学
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InN/InGaN complementary heterojunction-enhanced tunneling field-effect transistor with enhanced subthreshold swing and tunneling current
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所属单位:微电子学院
发表刊物:SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
第一作者:Peng, Yue^Han, Genquan^Wang, Hongjuan^Zhang, Chunfu^Liu, Yan^Wang, Yibo^Zhao, Shenglei^Zhang, Jincheng^Hao, Yue
论文类型:Article
论文编号:SCI WOS:000376213000018
卷号:93
页面范围:144-152
ISSN号:0749-6036
是否译文:否
发表时间:2016-01-01
收录刊物:SCI