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个人信息：Personal Information
教授
性别：男
毕业院校：2966
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
在职信息：在岗
所在单位：集成电路学部
学科：微电子学与固体电子学
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Theoretical calculation of performance enhancement in lattice-matched SiGeSn/GeSn p-channel tunneling field-effect transistor with type-II staggered tunneling junction
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所属单位：微电子学院
发表刊物：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
第一作者：Wang, Hongjuan^Han, Genquan^Wang, Yibo^Peng, Yue^Liu, Yan^Zhang, Chunfu^Zhang, Jincheng^Hu, Shengdong^Hao, Yue
论文类型：Proceedings Paper
论文编号：SCI WOS:000373929400051
卷号：55
期号：4
ISSN号：0021-4922
是否译文：否
发表时间：2016-01-01
收录刊物：SCI