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个人信息：Personal Information
教授
性别：男
毕业院校：2966
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
在职信息：在岗
所在单位：集成电路学部
学科：微电子学与固体电子学
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Relaxed germanium-tin P-channel tunneling field-effect transistors fabricated on Si: impacts of Sn composition and uniaxial tensile strain
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所属单位：微电子学院
发表刊物：AIP ADVANCES
第一作者：Han, Genquan; Wang, Yibo; Liu, Yan; Wang, Hongjuan; Liu, Mingshan; Zhang, Chunfu; Zhang, Jincheng; Cheng, Buwen; Hao, Yue
论文类型：Article
论文编号：SCI WOS:000355568100065
卷号：5
期号：5
ISSN号：2158-3226
是否译文：否
发表时间：2015-01-01
收录刊物：SCI