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个人信息：Personal Information
教授
性别：男
毕业院校：2966
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
在职信息：在岗
所在单位：集成电路学部
学科：微电子学与固体电子学
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GeSn Quantum Well P-Channel Tunneling FETs Fabricated on Si(001) and (111) With Improved Subthreshold Swing
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所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
第一作者：Han, Genquan^Wang, Yibo^Liu, Yan^Zhang, Chunfu^Feng, Qian^Liu, Mingshan^Zhao, Shenglei^Cheng, Buwen^Zhang, Jincheng^Hao, Yue
论文类型：Article
论文编号：SCI WOS:000379934100003
卷号：37
期号：6
页面范围：701-704
ISSN号：0741-3106
是否译文：否
发表时间：2016-01-01
收录刊物：SCI