周久人
最后更新时间:..
点击次数:
论文名称:HfO₂-Based Ferroelectric Optoelectronic Memcapacitors
发表刊物:IEEE EDL
论文类型:Letter
学科门类:工学
一级学科:电子科学与技术
文献类型:J
是否译文:否
发表时间:2023-03-01
收录刊物:EI、SCI
发布时间:2024-03-07
上一条:Inversion-Type Ferroelectric Capacitive Memory and Its 1-Kbit Crossbar Array
下一条:A 6.5 nm thick anti-ferroelectric HfAlOx film for energy storage devices with a high density of 63.7 J·cm−3