周久人，西安电子科技大学教授，博士研究生导师，国家级青年人才、小米青年学者，杭州市B类高层次人才，中国电子学会会员、IEEE会员。

2010-2014     西安电子科技大学   工学学士学位；

2014-2019     西安电子科技大学   工学博士学位（导师：郝跃）；

2017-2019     加州大学伯克利分校（国家公派）  电气工程和计算机科学（导师：Sayeef Salahuddin/胡正明）；

2019-2021     新加坡国立大学   SNDL实验室；

2022-至今      西安电子科技大学杭州研究院郝跃院士团队；

论文发表：IEEE IEDM、IEEE EDL、IEEE TED等微电子领域Top会议和期刊50余篇；学术专著-《负电容场效应晶体管》，获国家出版基金资助；

授权专利：申请发明专利近30项，已授权12项（中国、新加坡、PCT）；

科研项目：科技创新2030重大项目课题等国家级项目主持3项，参与4项；

荣誉：“陕西省优秀博士学位论文”、“中国电子学会优秀博士学位论文”、杭州市B类高层次人才、杭州市“西湖明珠”-海外引才、小米学者等；

主要研究方向：高能效铁电存储器及芯片；

通讯/办公地址 : 21a419156168470a2419684444dfc0d3907f2ca7ecaa904c1713fc007da93822a61bdb339931d68df035763a67caaa2bc584c6d4c2e2b44c26f50848107a8cfc03e0edbfd1c0736c76f44c1783b90f8ba14bbd924c79816420f43c10858ee3e810861c6bc7dd23bf9af41a667247e54566d6f16f989dc29a8762977f599f214e

邮箱 : bfb775703de10a8f69f92adc0a0323223d2ffdac018522f9a408b913b69b8c189b8044dcd2f347a9cc2968359a29173fca7104c4420ed367b0799d1d6113afb8bf635d7422364c3c95de666951a78fc45615a8252870f383e838d4567649faf8bee11a8e0a89e70ca9f7407e11f6e9307ef7c8311afead68d2c827646eb271f0

2010.8 -- 2014.7
西安电子科技大学       集成电路设计与集成系统

2014.8 -- 2019.7
西安电子科技大学       微电子学与固体电子学

2017.11 -- 2019.5
加州大学伯克利分校（国家公派）       电气工程与计算机科学

2022.1 -- 至今

西安电子科技大学      无      教授

2019.10 -- 2021.9

新加坡国立大学      Research Fellow