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张义门

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教授

性别:男

毕业院校:西安电子科技大学

学历:大学本科毕业

学位:大学本科毕业

在职信息:退休

所在单位:微电子学院

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Investigation of Leakage Current Mechanisms in La2O3/SiO2/4H-SiC MOS Capacitors with Varied SiO2 Thickness

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所属单位:微电子学院

论文名称:Investigation of Leakage Current Mechanisms in La2O3/SiO2/4H-SiC MOS Capacitors with Varied SiO2 Thickness

发表刊物:JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS

第一作者:Wang, Yucheng^Jia, Renxu^Zhao, Yanli^Li, Chengzhan^Zhang, Yuming

论文类型:Article

论文编号:SCI WOS:000385021300014

卷号:45

期号:11

页面范围:5600-5605

ISSN号:0361-5235

是否译文:

发表时间:2016-01-01

收录刊物:SCI