6fljItd2bfyiMrKY3Isr0Uw8fFSIkkcXubIdbDu3vCGUjJQ3sn2AhIF298TB
张义门

个人信息Personal Information

教授

性别:男

毕业院校:西安电子科技大学

学历:大学本科毕业

学位:大学本科毕业

在职信息:退休

所在单位:微电子学院

扫描关注

论文成果

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Comparison of HfAlO, HfO2/Al2O3, and HfO2 on n-type GaAs using atomic layer deposition

点击次数:

所属单位:微电子学院

论文名称:Comparison of HfAlO, HfO2/Al2O3, and HfO2 on n-type GaAs using atomic layer deposition

发表刊物:SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES

第一作者:Lu, Bin^Lv, Hongliang^Zhang, Yuming^Zhang, Yimen^Liu, Chen

论文类型:Proceedings Paper

论文编号:SCI WOS:000390630200008

卷号:99

页面范围:54-57

ISSN号:0749-6036

是否译文:

发表时间:2016-01-01

收录刊物:SCI