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张义门

个人信息Personal Information

教授

性别:男

毕业院校:西安电子科技大学

学历:大学本科毕业

学位:大学本科毕业

在职信息:退休

所在单位:微电子学院

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Study on reverse-biased gate leakage current mechanisms in Al2O3/InAlAs metal-oxide-semiconductor structures

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所属单位:微电子学院

论文名称:Study on reverse-biased gate leakage current mechanisms in Al2O3/InAlAs metal-oxide-semiconductor structures

发表刊物:THIN SOLID FILMS

第一作者:Jin, Chengji^Lu, Hongliang^Zhang, Yimen^Guan, He^Li, Zheng^Zhang, Yuming

论文类型:Article

论文编号:SCI WOS:000389610900007

卷号:619

页面范围:48-52

ISSN号:0040-6090

是否译文:

发表时间:2016-01-01

收录刊物:SCI