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张义门

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教授

性别:男

毕业院校:西安电子科技大学

学历:大学本科毕业

学位:大学本科毕业

在职信息:退休

所在单位:微电子学院

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Comparative study of atomic-layer-deposited HfO2/Al2O3, Hf0.8Al0.2Ox and Hf0.5Al0.5Ox on N-GaAs

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所属单位:微电子学院

论文名称:Comparative study of atomic-layer-deposited HfO2/Al2O3, Hf0.8Al0.2Ox and Hf0.5Al0.5Ox on N-GaAs

发表刊物:SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES

第一作者:Yu, Xinjiang^Lv, Hongliang^Zhang, Yuming^Zhang, Yimen^Qin, Zaiyang

论文类型:Proceedings Paper

论文编号:SCI WOS:000390630200009

卷号:99

页面范围:58-61

ISSN号:0749-6036

是否译文:

发表时间:2016-01-01

收录刊物:SCI