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张义门

个人信息Personal Information

教授

性别:男

毕业院校:西安电子科技大学

学历:大学本科毕业

学位:大学本科毕业

在职信息:退休

所在单位:微电子学院

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Preparation of few-layer graphene on on-axis 4H-SiC (000(1)over-bar) substrates using a modified SiC-stacked method

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所属单位:微电子学院

论文名称:Preparation of few-layer graphene on on-axis 4H-SiC (000(1)over-bar) substrates using a modified SiC-stacked method

发表刊物:MATERIALS LETTERS

第一作者:Hu, Yanfei^Zhang, Yuming^Guo, Hui^Chong, LaiYuan^Zhang, Yimen

论文类型:Article

论文编号:SCI WOS:000367115600163

卷号:164

页面范围:655-658

ISSN号:0167-577X

是否译文:

发表时间:2016-01-01

收录刊物:SCI