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张义门

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教授

性别:男

毕业院校:西安电子科技大学

学历:大学本科毕业

学位:大学本科毕业

在职信息:退休

所在单位:微电子学院

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Influence of oxidation temperature on the interfacial properties of n-type 4H-SiC MOS capacitors

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所属单位:微电子学院

论文名称:Influence of oxidation temperature on the interfacial properties of n-type 4H-SiC MOS capacitors

发表刊物:Applied Surface Science

论文编号:EI 20165103138163

卷号:397

页面范围:175-182

是否译文:

发表时间:2017-01-01

收录刊物:EI