王冲

个人信息:Personal Information

教授 博士生导师 硕士生导师

性别:男

毕业院校:西安电子科技大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士学位

在职信息:在职

所在单位:微电子学院

学科:微电子学与固体电子学

其他联系方式Other Contact Information

邮箱 :

扫描关注

个人简介:Personal Profile

王冲:教授,博士生导师。

研究方向:宽禁带半导体材料工艺与新型器件结构

个人简介:王冲,2006年于西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业获得博士学位。2007年至今任教于西安电子科技大学微电子学院。自2002年以来长期从事GaN基器件工艺、器件新结构设计和器件可靠性的研究。2003年参与研制国内首个SiC衬底的GaN基高电子迁移率晶体管,2007年国内首个报道了增强型GaN基高电子迁移率晶体管。2011年参与研制出了当时全世界效率最高的GaN微波功率器件。长期从事重点实验室的工艺、设备管理工作。在该研究领域以第一作者或通讯作者发表论文30余篇,获得授权专利7项,专利转让金额80余万元。参加国家纵向科研项目10余项,近5年可支配经费600余万元。研究成果获得国家发明二等奖1项,省科学技术一等奖3项。承担本科生半导体器件物理2和研究生微波器件与电路的授课任务。于2008年赴以色列理工大学做访问学者一年。


  • 教育经历Education Background
  • 工作经历Work Experience
  • 研究方向Research Focus
  • 社会兼职Social Affiliations
  • 应用于5G通信基站的GaN微波功率器件研究
  • 高击穿电压GaN功率器件研究
  • 宽禁带半导体器件工艺
  • 宽禁带半导体新结构器件
  • GaN基电子器件可靠性研究
  • GaN电路关键技术研究