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    芦浩

    • 助理研究员
    • 性别:男
    • 毕业院校:西安电子科技大学
    • 学历:博士研究生毕业
    • 学位:工学博士学位
    • 在职信息:在岗
    • 所在单位:微电子学院
    • 学科:微电子学与固体电子学
    • 办公地点:西电南校区国家工程研究中心403
    • 电子邮箱:

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    个人简介:

    芦浩,工学博士,博士后。博士毕业于西安电子科技大学(导师:马晓华教授)。依托宽禁带半导体国家工程研究中心长期从事氮化镓基微波/毫米波电子器件、化合物半导体异质集成、GaN CMOS兼容工艺关键技术研究。主持国家资助博士后研究人员计划B类、中国博士后科学基金面上项目、中央高校基本科研业务费、陕西省自然科学基础等项目,以第一/通讯作者在IEDM、IEEE EDL、IEEE TED、APL等国际高水平SCI期刊、会议上发表论文25篇,申请发明专利22项(授权10项),在IEDM、IWN、APWS、CS Mantech、IEEE WiPDA、IEEE ICTA等行业高水平国际/国内会议作学术报告20余次,先后获首届芯缘科技创新奖、IEEE WiPDA-Asia、AMSE国际会议Best Presentation Award、国际会议Best Researcher Award、陕西省博士后创新创业赛优胜奖等奖项,担任IEEE Member,中国电子学会会员,CCF集成电路设计专委委员。


    研究兴趣:1. 高性能SiC上GaN微波/毫米波器件及关键工艺. [1. H. Lu, et al., IEEE TED, 68(10); 2. L. Yang, F. Jia, H. Lu*, IEDM 2023];

                     2. 强极化AlN势垒高频高线性器件及关键工艺. [1. H. Lu, et al., IEEE TED, 68(7); 2. H. Lu, et al., APL, 120(17); 3. H. Lu, IEEE TED, 69(11)]

                     3. Si衬底上GaN射频器件及面向集成的CMOS兼容工艺. [1. H. Lu, et al., IEEE EDL, 43(2); 2. H. Lu, et al., IEEE WiPDA 2021, pp. 75]

                     4. 宽禁带半导体材料低阻欧姆接触工艺及合金动力学. [1. H. Lu, IEEE ICTA 2021; 2. L. Yang, H. Lu#, JAP, 10; 3. L. Yang, H. Lu#, IEEE JEDS, 12]

                     5. 新型高速沟道材料及器件制备. [1. H. Lu, et al., IEEE ICTA 2022; 2. H. Lu, et al., IEEE IMWS-AMP 2022; 3. H. Lu, IEEE WiPDA-Asia 2021]

    其他联系方式

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    社会兼职

  • 2023.1 -- 至今

    中国电子学会会员

  • 2023.2 -- 至今

    中国物理学会会员

  • 2022.11 -- 至今

    ACS Reviewer

  • 2023.1 -- 至今

    IEEE Member

  • 研究方向

  • 宽禁带半导体器件

  • 氮化镓异质集成关键技术

  • 化合物半导体关键工艺