郑雪峰

个人信息:Personal Information

教授 博士生导师 硕士生导师

性别:男

毕业院校:西安电子科技大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士学位

在职信息:在职

所在单位:微电子学院

学科:微电子学与固体电子学

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个人简介:Personal Profile

郑雪峰,博士、教授。2001年、2004年分别获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学学士、硕士学位。2010年获英国Liverpool John Moores大学博士学位。2010年回西安电子科技大学工作,先后晋升为副教授、教授职称。

   先后在半导体器件缺陷表征、新型宽禁带半导体器件及可靠性方面做出了重要的研究成果。开发了双脉冲CV、多脉冲IV缺陷表征技术,结合缺陷表征理论,国际上首次实现了高k材料内缺陷能级位置的完整表征,解决了原有缺陷表征方法表征范围窄的难题,为器件可靠性的提高提供了技术支撑。相关工作发表在IEEE Trans. Electron Devices、IEEE Electron Device Letters、International Electron Device Meeting等业内国际顶级期刊杂志上。针对氮化镓器件产业化遇到的难题,从器件结构、工艺创新等角度,重点解决了器件高电压下退化严重、一致性差等问题,使我校成为国内唯一一家具备氮化镓器件小批量生产能力的高校。制定了我国第一部GaN微波功率器件的详细规范,为我国GaN器件提供了国家标准。关键技术已经进行了应用,实现了产业化转移,累计经济效益逾千万元,为我国在该领域突破国外核心技术封锁起到了重要作用。

    近五年来,本人承担国家自然科学基金面上项目、国家自然科学基金青年项目、国家科技重大专项子课题等共10余项,可支配经费一千余万元。先后获得陕西省科学技术进步一等奖、教育教学成果特等奖等5项。


  • 教育经历Education Background
  • 工作经历Work Experience
  • 研究方向Research Focus
  • 社会兼职Social Affiliations
  • 宽禁带半导体材料与器件
  • 半导体器件可靠性研究
  • 半导体光电器件与探测器
  • 新型半导体存储器件