张鹏，北京大学 微电子学与固体电子学专业 博士，硕士生导师，副教授。博士毕业后，就职于西安电子科技大学微电子学院，从事宽禁带半导体器件研发工作， 并为宽禁带半导体国家工程中心& 宽禁带半导体材料教育部重点实验室。

近年来，围绕宽禁带半导体器件、工艺以及电路，重点突破GaN微波功率器件及电路、GaN垂直型电子电子器件，GaN半导体生物/化学传感器，纳米电子器件加工，解决该领域的关键和瓶颈问题。截至目前共发表相关学术论文20余篇, 申请发明专利20余项，获授权发明专利10余项，专利转化超过50万元。

近五年主持了国家自然科学基金青年项目、陕西省自然科学基金面上项目等，并作为子课题负责人，重点参与了国家科技重大专项“TM模介质滤波器、功放等器件研发与集成验证”、国家高技术研究发展计划（863计划）“新一代移动通信基站氮化镓射频功率放大器研究”、国家自然科学基金重点项目“Si基GaN增强型电力电子器件研究”等国家级项目，个人项目经费累计超过500万元，曾获得陕西省科学技术一等奖"高效率氮化镓微波功率器件及关键技术"的奖励。

研究方向：

1. GaN基毫米波器件及微波电路。 随着5G网络的应用，通信系统对于微波毫米波器件及电路有很大要求，要求器件的工作频率达到60 GHz以上。因此，对GaN基HEMT微波毫米波器件的研究有着重要价值。我们专注于200 GHz以上的GaN基HEMT器件的相关工艺技术和器件高效率、高线性度、可靠性等相关领域。

2. 电子束光刻及微纳米加工技术。 利用电子束光刻相关工艺制备的超短栅长T型栅，对实现超高频GaN基HEMT器件有着至关重要的作用。我们采用自主研发的技术，已开发出20-50nm栅长的器件，申请多项国家发明专利。

3. GaN基功率器件及其可靠性 主要研究方向为具有高击穿电压、大输出电流密度的GaN基垂直功率器件

暂无内容

暂无内容