张进成

个人信息:Personal Information

教授 博士生导师 硕士生导师

主要任职:校长助理,科学研究院院长

性别:男

毕业院校:西安电子科技大学

学位:工学博士学位

在职信息:在职

所在单位:微电子学院

入职时间:2001-03-28

学科:微电子学与固体电子学

办公地点:北校区东大楼317B室
南校区行政楼514室

联系方式:jchzhang@xidian.edu.cn

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个人简介:Personal Profile

1、个人履历

张进成,二级教授,博士生导师,教育部长江学者特聘教授,国家杰出青年基金获得者,国家万人计划领军人才。

分别于1998年、2001年、2004年在西安电子科技大学获得微电子技术专业学术学位、微电子学与固体电子学硕士学位、博士学位。

2001年3月留校任教,分别于2003年、2005年、2009年晋升讲师、副教授和教授(破格),2010年被聘任为博士生导师。2008年起担任宽带隙半导体技术国家级重点实验室副主任,2016年起担任陕西省石墨烯联合实验室(西电分部)主任,2019年起担任半导体国家工程研究中心副主任。20146月至8月在比利时鲁汶大学(欧洲微电子研究中心IMEC)作访问学者。2019年9月至11月在国家教育行政学院第58期中青年干部培训班学习。2014年10月至2018年8月担任微电子学院副院长,2018年9月至今担任科学研究院院长,2020年7月起任校长助理。1998年起师从中国科学院院士郝跃教授,从事宽禁带半导体电子材料与器件研究,是我国乃至国际上最早开展宽禁带(第三代)半导体电子器件与材料研究的知名学者之一。

2、学术兼职

  • 科技部战略先进电子材料专家组成员

  • 国防科工局配套信息功能材料专家组成员

  • 中国航天科技集团公司元器件应用专业组专家

  • 新型半导体功率器件国家重点实验室学术委员会委员

  • 微光夜视技术国家级重点实验室学术委员会委员

  • 国务院学位办电子科学与技术学科评议组秘书(2014-2018)

  • 第三代半导体产业技术创新战略联盟青年执行委员会副主任

3、个人荣誉

  • 国家杰出青年基金获得者(2019年)

  • 国家万人计划领军人才(2019年)

  • 科技部中青年科技创新领军人才(2018年)

  • 教育部长江学者特聘教授(2016年)

  • 国务院政府特殊津贴专家(2016年)

  • 陕西省重点科技创新团队负责人(2017年)

  • 陕西省三秦学者特聘教授(2016年)

  • 陕西省三五人才(2010年)

  • 陕西省青年科技新星(2010年)

  • 教育部新世纪优秀人才(2007年)

  • 陕西省高等学校优秀青年教师(2005年)

4、研究方向

  • 宽禁带半导体(GaN)器件、材料与设备

  • 微波毫米波太赫兹集成电路与工艺

  • 超宽禁带半导体(金刚石、氧化镓、氮化铝)器件、材料与设备

  • 石墨烯及二维半导体器件与材料

  • 柔性新能源与可穿戴器件

5、科研项目

  • 始终面向国家重大需求、面向国际学术前沿、面向国民经济主战场,坚持顶天立地,坚持学术研究与工程应用并重

  • 主持完成了国家科技重大专项、国家973计划、863计划、国家重点研发计划、国家自然基金重大项目、重点项目等50余项国家级重大重点项目,验收结果均为优秀或良好。

  • 目前在研主持国家科技重大专项“大功率高速整流器件”(国拨经费9994.78万元,西电历史上最高)、国家科技重大专项“毫米波放大器芯片”、国家重点研发计划“基于极化诱导能带工程的GaN基电子器件新结构、新工艺和可靠性研究”、国家自然基金委员会杰出青年基金项目“宽禁带半导体电子器件”等10余项课题。

6、主讲课程

  • 本科生课程《模拟电子技术基础》、《高频电子线路》

  • 研究生课程《宽禁带半导体材料与器件》,《集成电路工艺原理》

7、研究生培养

  • 培养理念:坦荡做人  用心做事  虔诚做学问

  • 培养和在读硕士研究生135人,博士研究生28人。

  • 积极鼓励研究生走向国际舞台,大部分研究生在学期间参加过国际学术会议,近20名研究生通过博士联合培养、出国读博、做博士后等方式到比利时鲁汶大学IMEC、美国德克萨斯大学奥斯丁分校、弗吉尼亚理工大学、德国布伦瑞克理工大学、法国国立应用科学学院、香港科技大学等国际知名高校深造。

  • 积极鼓励研究生参与国家重大科研项目,树立科技报国理念和团队意识,练就攻关卡脖子技术的能力,形成解决复杂科学与技术难题的领导力和创新力。

8、工作业绩

  • 论文专著:发表SCI论文300余篇,第一/通信作者100余篇,包括IEEE期刊论文64篇,Applied Physics Letters论文23SCI他引3000余次,出版专著3部,教材1部。

  • 国际报道:成果6次被国际半导体行业著名杂志Semiconductor Today专题报道。

  • 学术报告:国际学术会议特邀报告10余次,国内学术会议邀请报告30余次,担任国际学术会议电子器件分会主席4次,在香山论坛、双清论坛做特邀报告5次,受邀在比利时鲁汶大学IMEC、北京大学、华中科技大学、厦门大学等知名高校和三星(西安)、华为海思、华虹宏力、中车集团等知名企业做学术报告或讲座30余次。

  • 发明专利:授权发明专利80余项,实现专利转化和作价入股60余项,累计金额5000余万元。

  • 成果应用:研究成果在北斗导航卫星、新型雷达等国家重大工程中成功应用,并为我国4G/5G通信器件提供核心技术支撑。

  • 科研获奖:国家技术发明二等奖2项(排名第1和第2),省部级科技奖励9项,包括教育部技术发明一等奖1项(排名第1),国防技术发明一等奖1项(排名第4),陕西省科技一等奖4项(排名第2、3、4和6),国防科技进步二等奖2项(排名第2和6),教育部科技进步二等奖1项(排名第3)。

  • 教学获奖:国家教学成果一等奖1项(排名第2),陕西省教学成果特等奖1项(排名第3)

9、媒体报道

10、招生要求

  • 欢迎有志于做出世界一流研究成果的学生报名。

11、科研团队(郝跃院士团队之新型半导体材料与器件方向:26人)

  • 团队负责人:郝跃教授(中国科学院院士)

  • 新型半导体材料与器件方向负责人:张进成教授(杰青/长江)

  • (1)宽禁带半导体(氮化镓)研究小组

张进成教授;许晟瑞教授;刘志宏教授;毛维教授;周弘教授;薛军帅副教授;赵胜雷副教授;张雅超讲师/博士;段小玲讲师/博士;张苇杭博士后

  • (2)超宽禁带半导体(金刚石/氧化镓/氮化铝)研究小组

张进成教授;冯倩教授;张春福教授;张金风教授;周弘教授;任泽阳博士后

  • (3)新型信息/能源/柔性器件研究小组

张进成教授;张春福教授;韩根全教授;常晶晶教授;王东副教授;刘艳副教授;林珍华副教授;马海蛟副教授;宁静副教授;陈大正讲师/博士,朱卫东讲师/博士;朱家铎讲师/博士;苏杰讲师/博士

12、科研平台

  • 国家工程研究中心

  • 宽带隙半导体技术国家级重点实验室

  • 宽禁带半导体材料教育部重点实验室

  • 陕西省石墨烯联合实验室

  • 大功率半导体照明陕西省工程技术研究中心

13、图说研究

(1)国家领导人视察

2019年10月22日孙春兰副总理来校视察时展示的部分研究成果。

图1  GaN微波晶体管、微波二极管及微波模块

图2  2、4、6英寸GaN外延片

图3  大功率GaN微波晶体管

2017年9月19日刘延东副总理出席第三届互联网+大赛时参观时展示的研究成果。

图4  GaN微波功率器件、GaN微波二极管及GaN LED构成的无线能量传输系统


(2)研究领域及成果介绍

图1  宽禁带、超宽禁带半导体是理想的微波、功率电子器件

图2 二十年来建立了从设备、材料到器件的氮化镓微波功率器件技术体系

图3  开发出四代自主知识产权的MOCVD设备

图4 研制出300多种氮化镓外延材料(已批量应用)

图5  研制出全球最高效率的GaN微波功率器件

图6  国际领先的高效率GaN微波传能系统

 图7  国际最高水平的GaN微波二极管

图8  5.8GHz微波能量传输系统

图9  2000V级GaN电力电子器件





  • 教育经历Education Background
  • 工作经历Work Experience
  • 研究方向Research Focus
  • 社会兼职Social Affiliations