1、个人履历

张进成，二级教授，博士生导师，1998年、2001年、2004年分别在西安电子科技大学获得微电子技术专业学术学位、微电子学与固体电子学硕士和博士学位。2001年3月留校任教，2009年晋升教授，现任西安电子科技大学党委常委、副校长。

2、个人荣誉

国家级青年人才，国家级人才

3、研究方向

宽禁带（超宽禁带）半导体材料、器件与电路

4、科研项目

面向国家需求开展研究，坚持学术研究与工程应用并重。主持完成了国家科技重大专项、国家重点研发计划、国家自然科学基金等50余项重点项目。

5、培养理念

德才兼备，以德为先；坦荡做人，用心做事，虔诚做学问。坚持国际化育人理念、科技报国理念和大团队合作理念。

6、工作业绩

在Nature Communications、IEEE TED/EDL、APL/JAP等著名高水平期刊上发表SCI论文400余篇，SCI他引6000余次，成果10余次被国际著名行业杂志Semiconductor Today、Compound Semiconductor等专题报道，在国内外学术会议作特邀报告50余次，出版专著3部，授权发明专利100余项。成果获国家技术发明二等奖2项，省部级科技一等奖5项。获得国家教学成果一等奖1项和陕西省教学成果特等奖1项。

7、科研平台

国家工程研究中心；宽带隙半导体技术国家级重点实验室；宽禁带半导体材料教育部重点实验室；陕西省石墨烯联合实验室；大功率半导体照明陕西省工程技术研究中心；广州第三代半导体创新中心（西安电子科技大学广州研究院）；西安电子科技大学芜湖研究院