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个人信息Personal Information
教授
性别：男
毕业院校：西安电子科技大学
学历：大学本科毕业
学位：大学本科毕业
在职信息：退休
所在单位：微电子学院
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Study of drain induced barrier lowering (DIBL) effect and subthreshold characteristics of fully-depleted Ge NMOS with P-substrate
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所属单位：微电子学院
论文名称：Study of drain induced barrier lowering (DIBL) effect and subthreshold characteristics of fully-depleted Ge NMOS with P-substrate
发表刊物：SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
第一作者：Liu, Xiangyu^Hu, Huiyong^Zhang, Heming^Wang, Bin^Yang, Jiayin^Han, Genquan
论文类型：Article
论文编号：SCI WOS:000391905300128
卷号：100
页面范围：1230-1237
ISSN号：0749-6036
是否译文：否
发表时间：2016-01-01
收录刊物：SCI