专利名称:一种基于多层掺杂Al1-xScxN的铁电薄膜存储器及其制备方法
所属单位:微电子学院
第一作者:赵雪
专利类型:发明
申请号:CN202210958856.4
授权号:CN202210958856.4
是否职务专利:否
授权日期:2022-08-10
发布时间:2024-06-12