专利名称:一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法
所属单位:微电子学院
第一作者:赵雪
专利类型:发明
申请号:CN202211138415.6
授权号:CN202211138415.6
是否职务专利:否
授权日期:2022-09-19
发布时间:2024-06-12