|
个人信息Personal Information
副教授
性别：男
毕业院校：西安交通大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士研究生毕业
在职信息：在岗
所在单位：先进材料与纳米科技学院
联系方式：
电子邮箱：
扫描关注
InP/ZnS Quantum Dots Functionalized AlGaAs/InGaAs Open Gate High Electron Mobility Transistor
点击次数：
论文名称：InP/ZnS Quantum Dots Functionalized AlGaAs/InGaAs Open Gate High Electron Mobility Transistor
发表刊物：Journal of Materials Science: Materials in Electronics
全部作者：Zhimin Li
第一作者：Dongyan Zhang
论文类型：期刊论文
是否译文：否
发表时间：2018-07-23