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    袁嵩

    • 副研究员 硕士生导师
    • 性别:男
    • 毕业院校:西安电子科技大学
    • 学历:博士研究生毕业
    • 学位:博士研究生毕业
    • 在职信息:在岗
    • 所在单位:广州研究院
    • 入职时间: 2020-12-01
    • 学科:微电子学与固体电子学
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    论文成果

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    A Novel Igbt With Sipos Pillars Achieving Ultralow Power Loss in Tcad Simulation Study

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      论文名称:A Novel Igbt With Sipos Pillars Achieving Ultralow Power Loss in Tcad Simulation Study

      发表刊物:Micromachines

      第一作者:袁嵩

      文献类型:J

      卷号:15

      期号:6

      是否译文:

      发表时间:2024-06-01

      发布时间:2024-11-06