曾任世界一流研发中心-比利时微电子中心imec -氮化镓器件研发组组长。毕业于比利时鲁汶大学并获得博士学位。自2012年始，深度参与并领导imec GaN器件研发。全球首发了200mm CMOS兼容的650V GaN 横向晶体管，且通过工业级别可靠性验证。基于MVSG模型，为imec GaN器件建立了物理紧凑模型，开发了GaN集成电路设计平台的PDK。欧盟项目UltimateGaN课题负责人，开发1200V GaN 垂直器件 及 应用于Lidar 的100V GaN 横向器件。
受邀报告：https://esref2021.sciencesconf.org/resource/page/id/8.html?lang=en
所获荣誉：国家级人才，省级人才，广州市最美科技工作者，黄埔区最美科技工作者。
社会兼职：国际可靠性顶会IRPS 技术委员会委员 （IRPS Management & Technical Committees — IRPS）
imec美好回忆：
16年imec学习加工作，多年共事的同事临别赠言留在了这张晶圆上。我猜测每位同事写下了描述我的形容词，然后出现概率胜出的三个形容词印在了这张晶圆上。我觉得像我，像我，像我。希望找到同频的同学加入我的团队。
西电足迹：
2026年将课题组第一批毕业生输送给国家了。再沾沾学生的光，我们专业团队欢迎同样优秀的你加入。2027年招博士一名。
华东师范大学 | Microelectronics and Solid State Electronics | Bachelor's degree | 本科毕业
华东师范大学 | Microelectronics and Solid State Electronics | Master's degree | With Certificate of Graduation for Study as Master's Candidates
比利时鲁汶大学 | Microelectronics and Solid State Electronics | Doctoral degree | With Certificate of Graduation for Doctorate Study
