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个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：西安电子科技大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士研究生毕业
在职信息：在岗
所在单位：微电子学院
入职时间：2006-07-01
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：北校区东大楼409B
联系方式：
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基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法
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专利名称：基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法
所属单位：微电子学院
专利范围：国内
第一作者：杨林安
专利类型：发明专利
申请号：201210005728.4
发明人数：4
是否职务专利：否
申请日期：2012-01-10
授权日期：2013-12-25