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专利名称：基于有源区沟槽结构的碳化硅双极型晶体管及其制作方法

所属单位：微电子学院

专利范围：国内

第一作者：元磊

专利类型：发明

专利状态：授权

申请号：CN201611245751.5

授权号：CN201611245751.5

发明人数：6

是否职务专利：否

申请日期：2016-12-29

授权日期：2019-10-01

发布时间：2024-07-06