元磊
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专利名称:基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>材料的帽层复合双栅NMOSFET及其制备方法
所属单位:微电子学院
专利范围:国内
第一作者:元磊
专利类型:发明
专利状态:授权
申请号:CN201611123674.6
授权号:CN201611123674.6
发明人数:4
是否职务专利:否
申请日期:2016-12-08
授权日期:2020-02-14
发布时间:2024-04-07
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