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论文名称：Stress-induced Charge Trapping And Electrical Properties of Atomic-layer-deposited Hfalo/ga2o3 Metal-oxide-semiconductor Capacitors

发表刊物：Journal of Physics D-applied Physics

通讯作者：元磊

卷号：52

期号：21

是否译文：否

发表时间：2019-05-01

发布时间：2024-04-08