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论文名称：Energy-band Alignment of (hfo2)(x)(al2o3)(1-x) Gate Dielectrics Deposited by Atomic Layer Deposition on Beta-ga2o3 (-201)

发表刊物：Applied Surface Science

通讯作者：元磊

卷号：433

期号：Mar.1

页面范围：530-534

是否译文：否

发表时间：2018-03-01

发布时间：2024-04-09