薛军帅
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专利名称:基于P型GaN漏电隔离层的同质外延氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
所属单位:微电子学院
专利范围:国内
第一作者:薛军帅
专利类型:发明
专利状态:授权
申请号:CN202110826341.4
授权号:CN202110826341.4
发明人数:10
是否职务专利:否
申请日期:2021-07-21
授权日期:2022-12-02
发布时间:2024-07-06
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