西安电子科技大学主页平台管理系统薛军帅 Demonstration of InAlN/AlGaN high electron mobility transistors with an enhanced breakdown voltage by pulsed metal organic chemical vapor deposition 中文主页

薛军帅

教授博士生导师硕士生导师
性别：男
毕业院校：西安电子科技大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
在职信息：在岗
所在单位：集成电路学部
学科：微电子学与固体电子学

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论文成果

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Demonstration of InAlN/AlGaN high electron mobility transistors with an enhanced breakdown voltage by pulsed metal organic chemical vapor deposition

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所属单位：微电子学院

论文名称：Demonstration of InAlN/AlGaN high electron mobility transistors with an enhanced breakdown voltage by pulsed metal organic chemical vapor deposition

发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS

第一作者：Xue, JunShuai^Zhang, JinCheng^Hao, Yue

论文类型：Article

论文编号：SCI WOS:000374313000067

卷号：108

期号：1

ISSN号：0003-6951

是否译文：否

发表时间：2016-01-01

收录刊物：SCI

发布时间：2018-06-08

上一条：Ultrathin barrier AlN/GaN high electron mobility transistors grown at a dramatically reduced growth temperature by pulsed metal organic chemical vapor deposition