吴振宇

个人信息:Personal Information

副教授 硕士生导师

性别:男

毕业院校:西安电子科技大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士学位

在职信息:在职

所在单位:微电子学院

学科:微电子学与固体电子学

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个人简介:Personal Profile

吴振宇,副教授,硕士生导师。


主要研究方向为ULSI集成电路技术及其可靠性研究,具体包括微电子器件与电路辐射可靠性、VLSI薄膜工艺技术、集成互连可靠性等。已经完成的项目主要有:

(1)军委装备发展部, 国防预研基金项目, 6140A24010405, XXX损伤机理研究, 2018-01至2020-12,已结题, 主持

(2)中国空间技术研究院,国防重点实验室基金项目,HX0114093006,XXX微波芯片结构分析,2015-01至-2017-12,已结题, 主持

(3)国家自然科学基金委员会,青年科学基金项目,60806034,超深亚微米铜/低k互连应力迁移失效行为分析与寿命模型,2009-01至2011-12,已结题,主持

(4)军委装备发展部, 国防预研项目, FY13017250004, XXX效应仿真技术研究, 2016-01至2020-12, 已结题, 参加

(5)中华人民共和国科学技术部, 国家重点基础研究发展计划973子课题, 2015CB351906, 服役环境下可延展柔性无机集成器件性能退化机理与信号延迟机制, 2015-01至2019-12, 已结题, 参加 


以第一作者已发表相关研究SCI论文多篇,以第一发明人申请发明专利多项:

[1]等离子体天线表面电流分布与辐射特性研究,物理学报,2010,59(3):1890-1894

[2]基于微观结构的Cu互连电迁移失效研究.物理学报.2012,61 (1):018501

[3]铜互连电迁移失效阻变特性研究.物理学报.2012,61 (24):539-544

[4]The effect of annealing on electrical properties of fluorinated amorphous carbon films,Diamond & Related Materials,2008,17 :118–122

[5]Temperature-dependent stress-induced voiding in dual-damascene Cu interconnects.Microelectronics Reliability.2008,48 :578–583

[6]Numerical Modelling of Interconnect Electromigration Under Non-DC Stressing Conditions.IETE Journal of Research.2020,66 (1):85-90

[7]Structure-dependent behavior of stress-induced voiding in Cu interconnects.Thin Solid Films.2010,518 (14):3778-3781

[8]3D numerical simulations of single-event transient effects in SOI FinFETs.Journal of Computational Electronics.2018,17 (4):1608-1614

[9]离子迁移谱仪,专利授权号:ZL 201610627663.5

[10]等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构,专利授权号:ZL 200710018519.2

[11]一种系统级封装微凸点结构可靠性的两步式优化设计方法,专利申请号:CN201910717268.X 

[12]一种系统级封装热可靠性综合优化设计方法,专利申请号:CN201910717760.7 


  • 教育经历Education Background
  • 工作经历Work Experience
  • 研究方向Research Focus
  • 社会兼职Social Affiliations
  • ULSI集成电路技术及其可靠性研究