吴振宇，副教授，硕士生导师。

主要研究方向为ULSI集成电路技术及其可靠性研究，具体包括微电子器件与电路可靠性、VLSI技术等。已经完成的项目主要有：

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已发表相关研究论文多篇，申请发明专利多项：

[1] Study on circuit modeling of stretchable serpentine interconnects. Int J Circ Theor Appl, 2022,50(3):988-996

[2] Numerical Modelling of Interconnect Electromigration Under Non-DC Stressing Conditions.IETE Journal of Research.2020,66 (1):85-90

[3] 3D numerical simulations of single-event transient effects in SOI FinFETs.Journal of Computational Electronics.2018,17 (4):1608-1614

[4] 基于微观结构的Cu互连电迁移失效研究.物理学报.2012,61 (1):018501

[5] 铜互连电迁移失效阻变特性研究.物理学报.2012,61 (24):539-544

[6] 等离子体天线表面电流分布与辐射特性研究，物理学报，2010,59(3):1890-1894

[7]Structure-dependent behavior of stress-induced voiding in Cu interconnects.Thin Solid Films.2010,518 (14):3778-3781

[8]The effect of annealing on electrical properties of fluorinated amorphous carbon films,Diamond & Related Materials,2008,17 :118–122

[9]Temperature-dependent stress-induced voiding in dual-damascene Cu interconnects.Microelectronics Reliability.2008,48 :578–583

[10] 一种抗单粒子翻转加固的改进型QUATRO D触发器 ZL201911095387.2

[11]离子迁移谱仪，专利授权号：ZL 201610627663.5

[12]等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构，专利授权号：ZL 200710018519.2