王树龙
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个人信息Personal Information
副教授
性别：男
毕业院校：西安电子科技大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士研究生毕业
在职信息：在岗
所在单位：微电子学院
学科：微电子学与固体电子学
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Research on the origin of negative effect in uniform doping GaN-based Gunn diode under THz frequency
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所属单位：微电子学院
论文名称：Research on the origin of negative effect in uniform doping GaN-based Gunn diode under THz frequency
发表刊物：APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
第一作者：Wang, Shulong^Liu, Hongxia^Zhang, Hailin^Chen, Qing
论文类型：Article
论文编号：SCI WOS:000377061300018
卷号：122
期号：6
ISSN号：0947-8396
是否译文：否
发表时间：2016-01-01
收录刊物：SCI