汤晓燕

个人信息:Personal Information

教授 博士生导师 硕士生导师

性别:女

毕业院校:西安电子科技大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士学位

在职信息:在职

所在单位:微电子学院

学科:微电子学与固体电子学 凝聚态物理

办公地点:东大楼515c

联系方式:xytang@mail.xidian.edu.cn

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个人简介:Personal Profile

汤晓燕,女,教授,博士生导师,IEEE Member

1997年获得陕西师范大学物理专业学士学位

2002年获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业硕士学位。

2008年获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位。

2002年晋职讲师,2005年晋升副教授,2012年晋升教授。

2014年在澳大利亚格里菲斯大学的昆士兰微纳技术中心进行了为期一年的访学。

  SiC 是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件的极具潜力的宽带隙半导体材料。在航空、航天、国防、勘探、核能等领域有着重要的应用前景。采用SiC材料制造出的各种类型的功率器件,能在更高的温度和更大功率下工作,这是Si、GaAs器件所不及的。SiC功率器件可以使电力电子系统的功率、温度、频率和抗辐射能力倍增,效率、可靠性、体积和重量方面的性能也会大幅度改善,不仅在直流、交流输电,不间断电源,开关电源,工业控制等传统工业领域具有广泛应用,而且在太阳能、风能等新能源中也将具有广阔的应用前景。本人所在研究团队在SiC材料、器件及应用领域在国内高校处于领先地位。

  本人主要从事宽禁带半导体材料表征,SiC器件的模拟、仿真和新型大功率器件研制与应用方面的研究工作。负责国家自然科学青年基金项目,国家自然科学面上基金项目,预研基金项目,高校基本科研业务费项目等,参与多项国家级科研项目,国家重大专项,教育部支撑计划项目,国家自然科学基金重点项目等。主要完成了对SiC MOSFET器件设计和模拟、SiC MOS界面物理研究,SiC大功率器件研制等多项研究工作,在国内外重要期刊发表论文二十余篇,SCI,EI检索十余篇。申请专利五十余项,十余项获得授权。




  • 教育经历Education Background
  • 工作经历Work Experience
  • 研究方向Research Focus
  • 社会兼职Social Affiliations
  • 抗辐照功率器件
  • SiC大功率器件设计及应用
  • 新型宽禁带器件模型和仿真

团队成员Research Group

张玉明教授团队(宽禁带半导体:第二次电气革命的基础)

张玉明教授团队是微电子学院中科研实力最雄厚的课题组之一,研究方向为高频、宽带、大功率电子器件及相关材料,其中对 SiC、Ⅲ-Ⅴ 族化合物和石墨烯的研究达到国际前沿、国内领先水平。在国内外知名学术刊物发表论文二百余篇,其中一百余篇论文被SCI、EI和ISTP收录。在长期保持高水准的科学研究下,本课题组受到了国家重大专项、教育部重大支撑计划、 973国家重点基础研究发展计划、国家自然基金等多项重大项目的资金支持。

SiC功率器件及应用方向团队的成员包括:
张玉明教授、汤晓燕教授、宋庆文教授、张艺蒙副教授、元磊副教授、韩超博士、何艳静博士、袁昊博士