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Achieving ≥ 1200-v High-performance Gan Hemts on Sapphire With Carbon-doped Buffer

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论文名称：Achieving ≥ 1200-v High-performance Gan Hemts on Sapphire With Carbon-doped Buffer

发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices

通讯作者：李祥东

是否译文：否

发表时间：2024-10-01

发布时间：2024-11-30

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