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P-gan-gate Gan Power High-electron Mobility Transistors With Mg-acceptor Re-passivation Realized by Ammonia Plasma Treatment

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论文名称：P-gan-gate Gan Power High-electron Mobility Transistors With Mg-acceptor Re-passivation Realized by Ammonia Plasma Treatment

发表刊物：Applied Physics Letters

通讯作者：李祥东

卷号：125

期号：17

是否译文：否

发表时间：2024-10-01

发布时间：2024-11-28

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