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    李祥东

    • 教授
    • 主要任职：广州第三代半导体创新中心副主任
    • 性别：男
    • 学历：博士研究生毕业
    • 学位：哲学博士学位
    • 在职信息：在岗
    • 所在单位：广州研究院
    • 入职时间： 2021-03-08
    • 学科：微电子学与固体电子学 集成电路系统设计
    • 办公地点：广州市黄埔区中新广州知识城广州第三代半导体创新中心
    • 电子邮箱：

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    P-gan-gate Gan Power High-electron Mobility Transistors With Mg-acceptor Re-passivation Realized by Ammonia Plasma Treatment

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    发表刊物：Applied Physics Letters

    通讯作者：李祥东

    卷号：125

    期号：17

    是否译文：否

    发表时间：2024-10-01


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