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P-gan Gate Hemts on 6-inch Sapphire by Cmos-compatible Process: a Promising Game Changer For Power Electronics

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发表刊物：IEEE Electron Device Letters

论文类型：国际刊物

通讯作者：李祥东

卷号：45

期号：7

页面范围：1257-1260

是否译文：否

发表时间：2024-07-01

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