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A Cmos-compatible Process For ？？￥3 Kv Gan Power Hemts on 6-inch Sapphire Using in Situ Sin As the Gate Dielectric.

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发表刊物：Micromachines

论文类型：国际刊物

通讯作者：李祥东

卷号：15

期号：8

是否译文：否

发表时间：2024-01-01

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