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    李祥东

    • 教授
    • 主要任职：广州第三代半导体创新中心副主任
    • 性别：男
    • 学历：博士研究生毕业
    • 学位：哲学博士学位
    • 在职信息：在岗
    • 所在单位：广州研究院
    • 入职时间： 2021-03-08
    • 学科：微电子学与固体电子学 集成电路系统设计
    • 办公地点：广州市黄埔区中新广州知识城广州第三代半导体创新中心
    • 电子邮箱：

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    1700 V High-performance Gan Hemts on 6-inch Sapphire With 1.5 Mum Thin Buffer

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    发表刊物：IEEE Electron Device Letters

    第一作者：李祥东,李祥东

    论文类型：国际刊物

    通讯作者：李祥东

    卷号：45

    期号：1

    页面范围：84-87

    是否译文：否

    发表时间：2024-01-01


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