李祥东
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论文名称：1700 V High-performance Gan Hemts on 6-inch Sapphire With 1.5 Mum Thin Buffer
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：李祥东
卷号：45
期号：1
页面范围：84-87
是否译文：否
发表时间：2024-01-01
发布时间：2024-11-07
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