李祥东，教授，博士生导师，国家级青年人才，省级高层次引进人才，西电郝跃院士课题组成员，2020年获比利时鲁汶大学（KU Leuven）欧洲微电子中心IMEC博士学位，先后师从第三代半导体领域知名学者张进成教授和 IEEE Fellow、IMEC Fellow Guido Groeseneken 教授。研究方向为模拟集成电路设计、功率器件设计与制造、可靠性和系统应用等，拥有多年第三代半导体 GaN 芯片量产技术开发经验，深度参与了 IMEC 全球首家商用级 8 英寸硅基氮化镓技术体系的开发，推动全球第三代半导体产学研合作发展。在IEEE系列顶刊以及IEDM，VLSI，ISPSD等顶会发表论文多篇。

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科研项目：

2021.12~2025.11: 国家重点研发计划“面向大数据中心应用的 8 英寸硅衬底上氮化镓基外延材料、功率电子器件及电源模块关键技术研究”之课题“Si 衬底上 GaN 基功率电子器件的可靠性提升技术及功率集成技术研究”，课题牵头人，390.6万，进行中。

2025年度学术论文（*为通讯作者）：

1)      L. Zhai, X. Li^*, J. Ji, L. Yu, L. Chen, Y. Chen, H. Xia, Z. Han, J. Wang, X. Jiang, S. Yuan, T. Zhang, Y. Hao, and J. Zhang*, “Optimization of Low-Voltage p-GaN Gate HEMTs for High-Efficiency Secondary Power Conversion,” Micromachines, 2025, vol. 16, no.556, pp. 1-12, 2025.

2)      Z. Han, X. Li^*, J. Ji, Q. Li, Y. Zhang, L. Zhai, H. Wang, J. Chang, S. You, Z. Liu, Y. Hao, and J. Zhang*, “MIS p-GaN Tunneling Gate HEMTs on 6-In Si: A Novel Approach to Enhance Gate Reliability,” IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 72, no. 3, pp. 1060–1065, Mar. 2025.

3)      Z. Cheng, X. Li^*, J. Ji, L. Yu, T. Zhang, H. Wang, X. Jiang, S. Yuan, S. You, J. Chang, Y. Hao, and J. Zhang*, “High-Performance MIM/p-GaN Gate HEMTs with A 3-nm Insulator for Power Conversion,” IEEE Electron Device Lett., vol. 46, no. 3, pp. 460-463, Mar. 2025.

4)     Z. Han, X. Li^*, J. Ji, T. Zhang, X. Jiang, S. Yuan, Y. Chen, H. Xia, C. Li, L. Chen, Y. Hao, and J. Zhang, “Balancing Threshold Voltage and On-Resistance of p-GaN Gate HEMTs via Mg Doping Engineering,”  IEEE Trans. on Electron Devices,  vol. 72, no. 10, 2025.

邮箱 : 8bbd7b71a5e84fa6e559ddc4e5f9162c23abc032d340171dc1cf9f9848fdcb6fefed81207bfe10f10a0430a90214088c090409312f23a507af977f68588e88d5456b6541512cf125968cbd5ca1e0b6cc2d293e0eb7cd577dbfdbc9c936d0ae53079ac88320445d054a74544083cdb5efdf0b02c49917d336d39c52552d6231db

通讯/办公地址 : 7b51b8876a96e3f66e41347df86e38a95ac5b30de4dbd7488df738ae6ab9dfbb3043c6020cbc9caa53f39f1bed7e4ac0f19dd76d8648620d6778627d10120f24f1143e9c46ae697bcc34d24785a9f69eb42e024754505659ff356722122c3d7d38b40efe748e22cb1d741cd629ba3ab64b1cccedf334acb704496ba4de604795

邮编 : 0b735a9d632e94e2a00fb6dea29b7403544a443b71a09d7ca1d336424e79f6e773a738d7e51beb83efbb239823338a91221b1674e218ecdac3ac20e3f3b274ce40cfa1e8dd84feb721f3652963ebd1a2b0ba67875d6ef735476b16a1ce09335939eba052381af46c9fc55ae09aed1689e8639034d161861e995ea85afbaff733

[1] 2009.08 -- 2013.07
西安电子科技大学     微电子学与固体电子学     大学本科毕业     理学学士学位

[2] 2013.08 -- 2015.12
西安电子科技大学     微电子学与固体电子学     研究生(硕士)毕业     工学硕士学位

[3] 2016.02 -- 2020.11
比利时鲁汶大学（KU Leuven）     电气工程     博士研究生毕业     哲学博士学位

[1] 2021.04 -- 至今
广州第三代半导体创新中心     副主任

[2] 2021.03 -- 至今
西安电子科技大学广州研究院     副教授、教授

[3] 2016.02 -- 2020.11
欧洲微电子中心     PMST     Ph.D researcher

• 高压单片集成电路和系统

• 半导体器件可靠性表征技术

• GaN电力电子器件设计与制造技术