Personal Profile

李祥东，教授，博士生导师，国家级青年人才，省级高层次引进人才，西电郝跃院士课题组成员，2020年获比利时鲁汶大学（KU Leuven）欧洲微电子中心IMEC博士学位。研究方向为功率集成电路设计、功率器件设计与制造、可靠性和系统应用等，拥有多年第三代半导体 GaN 芯片量产技术开发经验，深度参与了 IMEC 全球首家商用级 8 英寸硅基氮化镓技术体系的开发，推动全球第三代半导体产学研合作发展。在IEEE系列顶刊以及IEDM，VLSI，ISPSD等顶会发表论文多篇。

欢迎推免、报考2026级博士、硕士研究生~

科研项目：

2021.12~2025.11: 国家重点研发计划“面向大数据中心应用的 8 英寸硅衬底上氮化镓基外延材料、功率电子器件及电源模块关键技术研究”之课题“Si 衬底上 GaN 基功率电子器件的可靠性提升技术及功率集成技术研究”，课题牵头人，390.6万，进行中。

2025年度学术论文（*为通讯作者）：

1)      L. Zhai, X. Li^*, J. Ji, L. Yu, L. Chen, Y. Chen, H. Xia, Z. Han, J. Wang, X. Jiang, S. Yuan, T. Zhang, Y. Hao, and J. Zhang*, “Optimization of Low-Voltage p-GaN Gate HEMTs for High-Efficiency Secondary Power Conversion,” Micromachines, 2025, vol. 16, no.556, pp. 1-12, 2025.

2)      Z. Han, X. Li^*, J. Ji, Q. Li, Y. Zhang, L. Zhai, H. Wang, J. Chang, S. You, Z. Liu, Y. Hao, and J. Zhang*, “MIS p-GaN Tunneling Gate HEMTs on 6-In Si: A Novel Approach to Enhance Gate Reliability,” IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 72, no. 3, pp. 1060–1065, Mar. 2025.

3)      Z. Cheng, X. Li^*, J. Ji, L. Yu, T. Zhang, H. Wang, X. Jiang, S. Yuan, S. You, J. Chang, Y. Hao, and J. Zhang*, “High-Performance MIM/p-GaN Gate HEMTs with A 3-nm Insulator for Power Conversion,” IEEE Electron Device Lett., vol. 46, no. 3, pp. 460-463, Mar. 2025.

4)     Z. Han, X. Li^*, J. Ji, T. Zhang, X. Jiang, S. Yuan, Y. Chen, H. Xia, C. Li, L. Chen, Y. Hao, and J. Zhang, “Balancing Threshold Voltage and On-Resistance of p-GaN Gate HEMTs via Mg Doping Engineering,”  IEEE Trans. on Electron Devices,  vol. 72, no. 10, 2025.