郝跃

个人信息:Personal Information

教授 博士生导师 硕士生导师

性别:男

毕业院校:西安交通大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士学位

在职信息:在职

所在单位:微电子学院

所属院系: 微电子学院

学科:集成电路系统设计 微电子学与固体电子学

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个人简介:Personal Profile

实验室学术委员会主任,首席专家郝跃教授
郝跃教授,中国科学院院士,微电子学专家,安徽省阜阳人,微电子学与固体电子学博士生导师。1958年3月生于重庆市,1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业,1991年在西安交通大学计算数学专业获博士学位。九三学社第十四届中央委员会常委和九三学社陕西省委主委、中国电子学会副理事长、国际IEEE学会高级会员。

他是国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020)"核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品"科技重大专项实施专家组组长、国务院第七届学科评议组(电子科学与技术一级学科)召集人、国家自然科学基金委员会信息科学部主任、高等院校电子信息类专业教学指导委员会主任委员、教育部科技委委员、国家重大基础研究计划(973计划)项目首席科学家、陕西省科学技术协会副主席、微电子技术领域的著名专家。他是第九、第十、第十三届全国政协委员和第十一届全国人大代表。201311月当选中国科学院院士。

郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。


主要研究方向:

1.宽禁带和超宽禁带半导体材料与器件

2. 微纳半导体新器件及其可靠性

3. SoC设计与设计方法学


教学与科研成果

成果获得国家技术发明奖二等1项(2009年),国家科技进步奖二等2项(2008年、2015年),国家科技进步奖三等1项(1998年);国家级教学成果一等奖1项(2018年)和国家级教学成果二等奖1项(2014年);获得国家发明专利授权近百项;出版《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》、《碳化硅宽带隙半导体技术》、《集成电路制造动力学理论与方法》和《微纳米CMOS器件可靠性与失效机理》、《NITRIDE WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ELECTRONIC DEVICES》等多部著作,在国内外著名期刊上发表学术论文500余篇;2010年荣获“何梁何利”科学技术奖。

 


  • 教育经历Education Background
  • 工作经历Work Experience
  • 研究方向Research Focus
  • 社会兼职Social Affiliations
  • 宽禁带半导体材料与器件
  • 微纳半导体新器件及其可靠性
  • SoC设计与设计方法学