冯倩，女，汉族，西安电子科技大学微电子学院教授，博士生导师。2000师从中科院郝跃院士开展“宽禁带半导体氮化镓材料与器件的研究”，2004年博士毕业后留在西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室工作，长期从事宽禁带/超宽禁带半导体材料与器件的研究，先后承担和参与了国家自然科学基金面上项目、自然基金重点项目、国家科技重大专项、国家重点研发计划、陕西省电子发展基金等多项国家级部委级项目，在这些项目中主要承担以氮化镓为代表的III-N材料表征分析与光电/电子器件的研制与性能测试。自2014年起开展超宽禁带半导体氧化镓材料的理论仿真研究，外延生长以及日盲紫外探测器、高压开关肖特基二极管和MOSFET器件的研究，所研制的场板结构肖特基二极管性能达到国际最高水平，MOSFET器件的性能也达到同期国际水平。在IEEE Electron. Device Letter, IEEE Trans. Electron Devices、IEEE Photonics Journal, Applied Physics Letters等国际著名期刊及会议上发表论文50余篇，申请/授权专利40余项，获省部级奖励三项（2006年陕西省科技进步一等奖、2006年**科技进步二等奖和2008年教育部科学技术进步奖二等奖），国家级奖励一项（2009年**技术发明奖二等奖）。现为IEEE Electron Device Letter, IEEE Transactions on Electron Device, Applied Physics Letter, Applied Surface Science，Journal of Alloys and Materials,Optical Material Express, IEEE Photonics Journal, 物理学报等国内外期刊审稿人。